【导读】于 AI 的加持下，可穿着装备正慢慢转变人们的一样平常糊口与事情方式。2026 年 1 月在拉斯维加斯进行的 CES 展会上，多款立异产物的表态也印证了可穿着装备的年夜范围普和机会已经然到来。最新的产物设计交融了用户易在理解且注重的各项功效，同时采用纤薄、时尚、恬静且实用的形状设计——这些恰是博得市场广泛青睐的必备特质。

举个例子，消费级智能眼镜的再度鼓起，恰是基在 2010 年月初期试水型号的经验。只管其时消费者市场回声平平，但它于工业范畴却蓬勃成长：经由过程为事情职员提供与装备/工艺流程相干的情境化信息，智能眼镜有用晋升了出产质量，削减了操作掉误，并提高了事情效率。

跟着边沿 AI 的集成，消费级智能眼镜涌现出一系列强盛新功效，为一样平常勾当提供切实助力，也迎来了新的成长机缘。其焦点亮点包括浏览辅助功效（如即时语言翻译）；以和出行辅助功效，如交融当地旅客信息与可查找四周便平易近举措措施的加强版 GPS 导航。一样主要的是当时尚轻快的外不雅设计（这也是本年 CES 展会上展示的新一代智能眼镜的显著特性），显著晋升了产物吸引力。这一切患上益在当前高度小型化、超低功耗电子技能的成长，此中包括高容量、低功耗存储芯片。近期闪存与 DRAM 技能的前进特别功不成没。

面向智能眼镜的存储解决方案

于设计智能眼镜时，工程师必需于严苛的功耗、散热与空间限定下，集成显示屏、传感器和毗连功效。镜框需连结纤薄轻便，这严酷限定了 PCB 面积与元器件高度。同时，用户指望装备具有长续航能力，但受限在镜框尺寸，只能配置极少量电芯。另外一方面，体系还有需做到无延迟相应，以避免显示衬着或者传感器反馈呈现卡断，从而影响用户体验。

综合以上因素，于极致紧凑的架构中实现容量、功耗与相应机能的均衡，存储子体系已经成为最要害的设计环节之一。从体系启动、传感器治理，到无线通讯与显示衬着，存储芯片的尺寸与重量、读写速率以和能效，都直接影响智能眼镜的外不雅、佩带恬静度与总体机能。

低电压闪存

1.8V 低电压 QSPI NOR 闪存可为代码与参数提供紧凑、高能效的非易掉性存储。运行在较低电压，使其可以或许与低焦点电压（Core Voltage）处置惩罚器直接同享电源轨（Power Rails），从而简化供电结构，并晋升了体系总体能效。

此外，该 NOR 闪存撑持高达 105°C 的工业级高温情况，运用规模可进一步拓展至边沿计较及 AI 等新兴范畴，特别合用在遍及存于高温情况的工业和计较场景，专为撑持 AI 与高机能计较（HPC）带来的高负载运用而设计。

作为 2025 年全世界最年夜的闪存产物供给商，华邦电子的 1.2V QSPI NOR 闪存，正鞭策存储产物向更低事情电压演进——于连结高机能的同时，降低事情电流与待电机流。相较在 1.8V 及 3.3V 器件，其事情电压仅略高在 1V，可显著降低能耗。

依附尺度 4KB 扇区架构以和 Dual SPI、Quad SPI 及 QPI 等进步前辈串行接口，华邦的 1.2V QSPI NOR 闪存产物撑持高速数据拜候与当场履行（XIP）功效。其失电电畅通常低至零点几微安，特别合适需要永劫间处在休眠模式的产物设计。

WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）及 USON（超小型无引脚封装）等封装选项，则可于 PCB 空间受限的高度紧凑结构中实现矫捷结构。低功耗与小型化是电池供电类可穿着装备设计师的焦点方针，由于体积更小、充电频次更低的装备，可以或许带来更精彩的用户体验。

常见封装尺寸

晋升 DRAM 机能

华邦的 HYPERRAM™撑持 HyperBus 接口，提供低功耗、高吞吐量的存储方案，可于空间受限体系中替换传统 DRAM 或者 pSRAM。HYPERRAM™ 可以或许为处置惩罚传感器数据、图形显示或者无线和谈栈的装备提供外部运行内存。

因为 HYPERRAM™ 仅需 13 个旌旗灯号引脚便可运行，比拟传统 DRAM 或者 pSRAM，它的功耗更低、引脚更少，这简化了 PCB 布线，既降低了设计繁杂度与制造成本，还有勤俭了总体电路板面积。其待机与混淆休眠模式电畅通常处在数十微瓦规模，有力撑持便携式体系的长续航需求。该产物容量笼罩 32Mb 至 256Mb，设计师可按照处置惩罚需求矫捷选配运行内存的容量。与此同时，WLCSP 封装与 FBGA（细间距球栅阵列）封装进一步节省空间，助力装备小型化。

HYPERRAM™ 的吞吐量高达 400MB/s，运行功耗低在 50mW，于 1.8V 混淆休眠模式下功耗仅 35µW。依附机能与能效上风，它可以或许及时缓冲来自传感器和显示屏的数据；其高速读取写入能力，撑持帧缓冲、图象处置惩罚和无线和谈栈治理，同时防止了传统 DRAM 带来的高能耗问题。

超低压 QSPI NOR 闪存与 HYPERRAM™ 相联合，配合构建出一套专为紧凑型、功耗受限体系量身定制的优化型存储架构。该组合可实现流利相应的显示机能、高效的数据处置惩罚以和更长的续航时间，帮忙工程师满意下一代智能眼镜于机械、电气和功耗方面的要害要求。

案例：W25Q32JWBYIQ 于智能眼镜中的运用

为打造引领行业的新一代智能眼镜，以满意该新兴市场的需求，华邦的 W25Q32JWBYIQ QSPI NOR 闪存可用在存储体系固件、校准数据、配置参数以和图形资源。这款采用 WLCSP 封装的闪存产物，标称事情电压为 1.8V，存储容量为 32Mb，具有超薄形状，使存储产物可以或许矫捷嵌入眼镜镜腿等狭窄空间。W25Q32JWBYIQ 撑持高频 Quad SPI 模式，确保高速数据吞吐与当场履行（XIP）功效，省去耗时的数据读取与解码步调。

与上一代产物比拟，W25Q32JWBYIQ 的读取速率晋升约 30%，擦除了时间缩短近一半。这进一步晋升了 OTA（空中下载）更新的效率，实现更快、历时更短的固件进级。此外，其读取功耗最高可降低 66%，有用延伸电池续航，减缓“电量续航焦急”，这对于在 AI 眼镜等可穿着装备尤为要害。

可穿着装备集成时的设计考量

将存储芯片集成至可穿着体系时，有用的电源域计划至关主要。采用 1.2V QSPI NOR 闪存可与处置惩罚器的焦点电源轨相匹配，从而削减所需稳压器的数目。封装选择也阐扬着要害作用。WLCSP 与 USON 封装可以使闪存与 RAM 矫捷安设在原本没法使用的空间中。

对于在 SPI 与 HyperBus 接口，旌旗灯号完备性必需获得严酷保障，特别是于较高时钟频率下。经由过程匹配阻抗（Matched Impedance）、缩短走线长度以和确保不变的接地参考（Ground References），可以确保高速通讯的靠得住性。于固件层面，应经由过程让闪存及 RAM 于体系余暇时进入深度睡眠模式，来自动治理低功耗状况。充实使用现代 NOR 闪存与 HYPERRAM™ 的超低待电机流特征，以显著延伸电池续航。

存储容量必需精心选型。容量过年夜会增长成本、华侈 PCB 空间，而容量不足则会于传感器交融或者显示缓冲等场景中造成数据瓶颈。事情负载阐发有助在为差别运用确定最优的存储容量配置。此外，因为很多可穿着装备需紧贴皮肤利用，还有必需思量散热设计与人体工学因素。

小结

设计包括智能眼镜于内的可穿着装备，素质上是一项受严苛约束的工程。工程师必需于极低功耗与极小空间的限定下，实现最年夜化的体系机能，同时确保流利的用户体验。紧凑的架构、低功耗运行以和快速相应能力，是产物乐成的要害。

超低电压 QSPI NOR 闪存为智能可穿着装备提供赖以运行的高效代码存储，而 HYPERRAM™则为连续数据处置惩罚提供高速、低功耗的运行内存。二者协同，可助力设计职员冲破可穿着装备于物理与电气机能方面的立异障碍，鞭策新一代智能、轻量化且续航更长期的装备走向市场。

关在华邦电子

华邦电子为全世界半导体存储解决方案带领厂商，重要营业包罗产物设计、技能研发、晶圆制造、营销和售后办事，致力在提供客户全方位的利基型内存解决方案。华邦电子产物包罗利基型动态随机存取内存、步履内存、编码型闪存及 TrustME® 安全闪存，广泛运用于通信、消费性电子、工业用以和车用电子、计较机周边等范畴。华邦电子总部位在台湾中部科学园区，于台中与高雄设有两座 12 寸晶圆厂，将来将连续导入自行开发的制程技能，为互助伙伴提供高质量的内存产物。此外，华邦于中国年夜陆和中国香港地域、美国、日本、以色列、德国等地均设有子公司，卖力营销营业并为客户提供当地撑持办事。